講座報(bào)告主題：二維電子學(xué)中的高性能高電介質(zhì)的高通量計(jì)算設(shè)計(jì)
專(zhuān)家姓名：楊明
日期：2024-12-12 時(shí)間：15:00
地點(diǎn)：線(xiàn)上，騰訊會(huì)議：566-421-406
主辦單位：物理與電子工程學(xué)院
主講簡(jiǎn)介：楊明博士是香港理工大學(xué)應(yīng)用物理系的助理教授。他目前擔(dān)任IEEE香港電子器件學(xué)會(huì)/固態(tài)電路聯(lián)合分會(huì)的秘書(shū)，并且是《IEEE新興計(jì)算智能主題匯刊》的副主編。楊博士在新加坡國(guó)立大學(xué)獲得博士學(xué)位。加入理工大學(xué)之前，他在材料研究與工程研究院（IMRE）工作。截至目前，楊博士已在包括《科學(xué)》《自然·材料》《自然·電子學(xué)》《自然·納米技術(shù)》《物理評(píng)論快報(bào)》《先進(jìn)材料》和《美國(guó)化學(xué)會(huì)志》等著名期刊上發(fā)表了超過(guò)180篇同行評(píng)審論文。他的研究成果已被引用超過(guò)7,500次，H指數(shù)為45（截至2024年12月，谷歌學(xué)術(shù)）。研究專(zhuān)長(zhǎng)：楊博士的研究專(zhuān)注于利用高通量篩選、第一性原理計(jì)算和基于物理信息的機(jī)器學(xué)習(xí)來(lái)加速功能材料的發(fā)展。
主講內(nèi)容簡(jiǎn)介：二維（2D）半導(dǎo)體，如單層二硫化鉬（MoS?），在推進(jìn)納米電子學(xué)方面具有重要意義。然而，將高介電常數(shù)（high-k）的電介質(zhì)與2D半導(dǎo)體集成以實(shí)現(xiàn)高性能仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。在這次演講中，我將介紹我們對(duì)設(shè)計(jì)高k電介質(zhì)和2D MoS?之間高性能界面的理解。首先，我會(huì)展示氫化是一種有效的鈍化方法，可以作用于傳統(tǒng)高k電介質(zhì)與MoS?之間的界面上未配對(duì)的懸掛鍵，在這個(gè)過(guò)程中，氫化會(huì)選擇性地發(fā)生在諸如氮化硅（Si?N?）和鉿氧化物（HfO?）這樣的高k電介質(zhì)上，而不會(huì)影響到MoS?。其次，我將介紹一種數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的方法，用于加速發(fā)現(xiàn)有潛力的無(wú)機(jī)分子晶體作為適用于2D MoS?的高性能高k電介質(zhì)。這些研究成果推動(dòng)了對(duì)將高k電介質(zhì)與2D半導(dǎo)體集成的理解，并可能有助于廣泛種類(lèi)的2D電子和光電設(shè)備的發(fā)展。
歡迎師生參加！
